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2024년 3분기 삼성전자 실적은

by 코인주식 투자대장 2024. 10. 28.
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목차

    4분기 IT/전기전자 업종의 변곡점은 삼성전자의 실적 발표(10월 31일)가 될 전망이다. 10월 28일 대만 언론에서 삼성전자의 고대역폭 메모리인 HBM3E의 제한적 납품 소식이 들려오면서 주가가 반등했지만, 최종적으로 3%대에 그쳤다. 

    글 수정,추가 10월29일) 삼성전자가 현재 3분기 실적은 부진하지만 4분기에는 반등 가능성이 있다는 내용을 기재했으나 29일 삼성전자 직원의 익명 인터뷰를 보고는 그 가능성에 의구심이 내용 일부를 첨부한다.


    삼성전자 뿐만 아니라 대형 IT기업들의 실적부진 

    SK하이닉스를 제외한 LG전자, LG이노텍, LG디스플레이 등은 4분기 영업이익 컨센서스가 하향 조정됐다. 
     
    애플 공급업체인 LG이노텍과 LG디스플레이는 애플 내 경쟁이 심화되고 아이폰16의 판매 부진 등으로 실적 조정이 불가피하다. 
     
    SK하이닉스는 HBM에서 높은 점유율과 수익성으로 3분기와 4분기 모두 호조가 예상되는 시점이다. 

    대형 기업의 수익률 및 밸류에이션

    삼성전자 4분기 반등 가능성도 

    삼성전자의 실적 부진은 확실시 된다. 잠정실적에서 삼성전자의 2024년 3분기 매출액은 79조원, 영업이익은 9조1000억원이 될 전망이다. 파운드리 및 시스템LSI의 영업적자가 예상 대비 컸기 때문이다. 매출액은 DRAM과 NAND의 판매가격 인상 효과로 효과를 봤다. 
     
    다만, 비메모리 부문은 수익성이 부진했는데, 성과급 등 일회성 비용 증가와 낮은 수율로 인한 생산원가 상승 등이 원인이라는 지적이다. (*성과급을 얼마나 줬길래...)
     
    올해 4분기 영업이익은 11조1000억원으로 증가할 것으로 보인다.
     
    실적 부진 원인이었던 비메모리 부문은 연말 성수기에 진입해 영업적자 폭이 개선될 전망이라는 전문가(키움증권 박유악 반도체 애널리스트) 의견이다. 

    엔비디아 납품 지연, 제한적 납품...체면구긴 삼전

    삼성전자 실적 부진의 기저에는 엔비디아에 대한 HBM3E 납품 지연이 원인으로 꼽힌다. 사실상 기술적으로 이미 HBM을 납품하고 있는 SK하이닉스에 뒤쳐지고 있는데다 이를 뛰어넘을만한 조직력도 무너졌다는 평가가 나온다. 

    SK하이닉스와 삼성전자에 대한 평가 기사 중 일부 발췌

     
    10월 28일 대만언론에서는 삼성전자가 엔비디아에 HBM을 조건부로 승인했다는 소식이 전해진다. 주가는 3.94% 오른 5만8100원에 장을 마감했다. 대만 디지타임스는 엔비디아가 삼성전자를 HBM 공급사에 포함하는 조건부 승인을 내렸다고 보도했다. 정식 공급망은 아니고 엔비디아가 물량 부족 해소를 위해 일시적으로 삼전 제품을 사용한다는 것이다. 호재라고 볼 수도 있지만, 정식으로 공급업체 승인을 받지 못한 반쪽 허가여서 체면을 구겼다는 평가도 나온다. 
     

    HBM4로 설욕 노리는 삼성전자 

    이때문에 삼성전자가 이미 SK하이닉스가 선점하고 있는 HBM3E 대신 차세대 제품인 HBM4 시장 선점에 나설 것이라는 관측이 나온다. 삼전 내부에서도 HBM팀을 신설해 HBM4 개발에 나서고 있는 것으로 알려졌다. 
     
    HBM4는 데이터 입출력 통로가 2배로 늘어나고 저전력 성능을 위한 설계가 적용되면서 효율성이 극대화될 것으로 보인다. 
     
    HBM은 고대역폭 메모리라고 읽힌다. 데이터 전송속도나 처리량이 큰 것인데, D램을 수직으로 적층하고 D램 칩사이에 구멍(I/O)를 뚫어 연결한다. 마치 엘리베이터처럼 데이터를 주고 받는 이곳을 TSV라고 한다. 5세대 HBM은 IO가 1024개, 6세대 HBM은 2048개가 연결된다.
     
    핵심은 데이터가 원활히 주고 받을 수 있도록 TSV에 전기신호를 잘 전달할 수 있는 소재로 채워 넣는 것이다. 삼성전자는 TC-NCF라는 기술로, D램을 적층할때 NCF를 넣고 열로 압착하는 기술이다. 
     
    SK하이닉스는 MR-MUF라는 기술로 수직 적층된 칩을 마이크로 범프로 붙이는데, 범프의 납 소재가 녹으면서 위아래 칩의 통로가 연결되는 방식이다. 고열에 칩이 휘어지는 현상을 막는 것도 기술이다. 

    HBM. 삼성전자 반도체 뉴스룸
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